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::: SMARTDISCRETES™, MOSFET protegidos, lo que su aplicación automotriz necesita. :::
 

ON Semiconductor ofrece un extenso porfolio de semiconductores para la gestión de potencia y datos, como también de semiconductores estándar que permiten cumplir las necesidades de los nuevos y sofisticados productos del mercado, de la línea blanca y de la industria automotriz.

La línea de MOSFETs SmartDiscrete™ de ON Semiconductor integran la circuiteria de protección tradicionalmente implementada con múltiples dispositivos discretos, esto permite el ahorro de espacio y de costo en el desarrollo de un sistema robusto.

Funciones de protección son obligatorias para aplicaciones en las que un MOSFET debe sobrevivir alta potencia y / o de las condiciones de cortocircuito. Para hacer frente a esta necesidad, los circuitos SmartDiscrete™ autoprotegidos de ON Semiconductor incorporan un sensado y una limitación de la corriente de drenaje. En el caso de una carga cortocircuitada, el circuito limitador de corriente protege contra picos de corriente. Si esta condición persiste, el circuito de temperatura monitorea la temperatura de la juntura y apagará el dispositivo cuando un punto de ajuste especificado se alcanza. El circuito limitador de temperatura interna está diseñado para encender automáticamente el MOSFET después que la temperatura de la juntura se reduce en aproximadamente 15ºC. El dispositivo ciclará hasta que la condición sea corregida.

La línea de dispositivos MOSFETs SmartDiscrete™ NCV840x de ON Semiconductor son dispositivos “Low Side” autoprotegidos diseñados para una robusta y confiable operación, estos dispositivos son adecuados para ser usados en aplicaciones de conmutación que operan en entornos duros de trabajo como ser las aplicaciones industriales y automotrices. Certificados en conformidad con el estándar AEC-Q101, la familia NCV840x está disponible en encapsulados SOT-223, DPAK y SOIC8.


Continuando con la expansión de su porfolio de MOSFET de alto rendimiento, ON Semiconductor introduce dos nuevos miembros a la línea de MOSFETs SmartDiscrete™ autoprotegidos, el NCV8405A un controlador “Low Side”, ampliando la línea antes mencionada, y el NCV 8450A un controlador “High Side” ambos con limites de temperatura y de corriente, y certificados en conformidad con el estándar AEC-Q101.

http://www.onsemi.com/PowerSolutions/parametrics.do?id=819

NCV8405 y NCV8405A

El NCV8405/A es un dispositivo “Low Side”, es decir un dispositivo en el cual la carga se debe conectar entre el DRAIN del MOSFET y la fuente de alimentación, al activarse proporcionará la masa necesaria para que la carga se active. Las características de protección incluyen sobrecorriente, sobretermperatura, ESD y un clamping integrado entre DRAIN y GATE para protección contra sobretensiones.

La tabla que se muestra a continuación nos muestra los valores máximos soportados por el dispositivo, es importante destacar su baja resistencia DRAIN – SOURCE (Rds) de 90 mΩ.


http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=NCV8405
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/NCV8405-D.PDF

NCV8450 y NCV8450A

El NCV8450/A es un dispositivo “High Side”, es decir un dispositivo en el cual la carga se debe conectar entre SOURCE del MOSFET y la masa del sistema, al activarse proporcionará la tensión necesaria para que la carga se active. Posee similares características de protección que el dispositivo anterior y una Rds de 1 Ω.

La tabla que se muestra a continuación nos muestra los valores máximos soportados por el dispositivo.


http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=NCV8450
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/NCV8450-D.PDF


 

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